سامسونگ انگارً گسترش تراشه ۲ نانومتری خود را اغاز کرده است_دوپلر
[ad_1]
نوشته و ویرایش شده توسط مجله دوپلر
سال قبل و در جریان اتفاقات Foundry Forum، سامسونگ برنامههای خود را برای تشکیل زیاد چیپستهای مبتنی بر فرایند ۲ نانومتری و ۱.۴ نانومتری خود بهاشتراک گذاشت. اکنون، یک رسانه مستقر در کره جنوبی، اظهار کرده که این شرکت به گمان زیادً کار روی ساخت و گسترش تراشه نسل بعدی خود را اغاز کرده است تا با رقبایی نظیر اپل همگام بشود.
به نقل از ETNews، سامسونگ الکترونیکس اکنون گسترش یک چیپ ۲ نانومتری را بهمنظور رقابت با اپل و TSMC اغاز کرده است. در سال ۲۰۲۳ سامسونگ خبرداد که تراشه ۲ نانومتری خود را برای موبایلهای پرچمدار در سال ۲۰۲۵، بهصورت زیاد تشکیل خواهد کرد. ادعا میبشود که لیتوگرافی ۲ نانومتری، افزایش ۱۲ درصدی کارکرد، افزایش ۲۵ درصدی راندمان انرژی و افت ۵ درصدی فضای اشغالی را نسبت به تراشههای نسل قبل، بهجستوجو خواهد داشت.
بر پایه این گزارش، سامسونگ گسترش پروژه ۲ نانومتری AP (پردازنده اپلیکیشن) را با اسم رمز «تتیس» اغاز کرده که گمان میرود همان Exynos 2600 باشد؛ این چیپست پرچمدار به گمان زیادً با سری گلکسی S26 در سال ۲۰۲۶ اراعه خواهد شد.
با فکر این که همهچیز خوب پیش رود، انگارً سامسونگ یکی از اولین شرکتهایی خواهد می بود که تلفنهای پرچمدار خود را با تراشه تجاری مبتنی بر فرایند ۲ نانومتری اراعه میکند. به این علت سری S26 با سری آیفون ۱۷ اپل که به گمان زیادً سال ۲۰۲۶ با تراشه ۲ نانومتری اراعه خواهد شد، رقابت خواهد کرد.
همکاری کوالکام با سامسونگ برای گسترش تراشه ۲ نانومتری اسنپدراگون
این نوشته این چنین میتواند به سامسونگ در رقابت با TSMC پشتیبانی کند؛ چون کوالکام بهجستوجو تولیدکنندهای است که بتواند تراشه اسنپدراگون نسل بعدی خود را تشکیل کند و میتواند در این عرصه با سامسونگ همکاری کند. این گزارش خاطرنشان میکند که سامسونگ تصمیم دارد با اراعه هرچه سریع تر تراشه پرچمدار خود، پیشتاز تشکیل تراشههای ۲ نانومتری باشد.
سامسونگ این چنین به گمان زیادً سری S25 را در برخی مناطق همانند ایالاتمتحده و کانادا، با تراشه نسل بعدی اسنپدراگون اراعه میکند. بااینحال، غول کرهای تصمیم دارد در باقی مناطق جهان، تلفنهای پرچمدار خود را با اگزینوس ۲۶۰۰ اراعه کند تا بازار تراشههای داخلی خود را تحکیم کند و هزینههایش را افت دهد.
دسته بندی مطالب
مقالات کسب وکار
[ad_2]